HVPE法制备β-Ga2O3外延

氧化镓（Ga2O3）是第四代半导体材料，具有超宽能隙 和高临界击穿电场强度等优异特性。然而，由于对完整性、平整度、均匀性等有严格的质量要求，在氧化镓基底上制造外延片面临着制备工艺的挑战。通过采用氢化物气相磊晶法（HVPE） ，对外延生长设备的自主改造和气源比例的精确控制，我们成功实现了高质量外延片的生长。这一成就朝着实现大规模生产和利用氧化镓作为半导体行业关键材料的巨大潜力，迈出了重要的一步。